Abstract FR:

Les systemes de radiocommunication avec les mobiles font l'objet, depuis quelques annees, de travaux tres importants. Leur developpement necessite de relever de nombreux defis aussi bien economiques que techniques. Pour atteindre un developpement des services mobiles a grande echelle, il faut que les dimensions, le poids, l'autonomie et le cout du terminal soient des elements attractifs pour l'utilisateur. Parmi les differents circuits intervenant dans la chaine d'emission-reception, le circuit amplificateur de puissance revet une importance toute particuliere quant a l'abaissement de la consommation du combine. En effet, son autonomie depend directement du rendement ajoute de l'amplificateur de puissance. Parmi les differents composants permettant de realiser ces amplificateurs de puissance, le transistor bipolaire a heterojonction (tbh) gaas/gaalas apparait comme un composant de choix pour atteindre sous de faibles tensions d'alimentation (<6 v) des rendements en puissance ajoutee eleves. Dans cette perspective d'evaluation des potentialites du tbh gaas pour les systemes de radiocommunication avec les mobiles type dcs1800 (digital communication system) et dect (digital european cordless telephone), nous avons concu et caracterise, a partir d'une technologie developpee au cnet bagneux, divers amplificateurs de puissance hybrides et monolithiques fonctionnant sous 3 v et 6 v en bande l. Pour utiliser au mieux les particularites du tbh, une comparaison des differentes classes et architectures d'amplificateur de puissance a ete egalement entreprise. Enfin une caracterisation non-lineaire et thermique du composant a ete effectuee, permettant d'etablir a partir du modele de gummel-poon un modele electrothermique grand signal fiable et compatible avec les simulateurs electriques de type spice