Abstract FR:

L'adressage des ecrans plats a cristaux liquides et a matrice active se fait en utilisant des transistors en couche mince (tfts ou thin film transistors), a base de silicium amorphe. Les tfts connaissent un probleme de vieillissement qui se manifeste sous forme de decalage de leur tension de seuil. Le modele du reservoir de defauts (ou defect pool) tente d'expliquer ce vieillissement par une modification de la densite de defauts dans ce materiau. Ce modele s'appuyait essentiellement sur des mesures effectuees sur les tfts dont l'interpretation peut etre remise en question. En revanche, l'utilisation de la capacite quasistatique de structures mis (metal/isolant/semiconducteur), fabriquees en meme temps que les transistors, peut fournir des preuves experimentales directes. L'experimentation a consiste a appliquer aux structures mis des tensions a haute temperature et a mesurer leur effet sur la capacite quasistatique. J'ai ainsi etudie plusieurs structures presentant des interfaces isolant/semiconducteur differentes en changeant l'isolant (nitrure de silicium obtenu par depot chimique en phase vapeur assiste par plasma ou oxyde de silicium obtenu par une variante de cette methode a resonance electronique cyclotronique repartie), ou l'ordre de depot (grille dessus ou grille dessous selon que l'isolant est depose au-dessus ou en-dessous du semiconducteur). En comparant les resultats experimentaux a ceux d'une simulation numerique que j'ai developpee, il apparait que : 1- le modele du reservoir du defauts decrit parfaitement bien la metastabilite due aux defauts dans le silicium amorphe, 2- la structure grille dessus a base d'oxyde de silicium presente la plus faible densite d'etats d'interface, 3- pour les structures a base de nitrure de silicium, la densite d'etats d'interface est moins importante dans la configuration grille dessous, mais une injection de trous dans le nitrure a ete observee dans cette configuration sous accumulation de trous.