Abstract FR:

Ce memoire concerne les photodiodes a avalanche a multi-puits quantiques dans le systeme de materiaux alinas/gainas accordes sur inp. Les structures etudiees presentent la particularite d'etre de type npnp avec une transition de composition graduelle entre la zone d'adsorption et celle de multiplication, contrairement aux approches developpees dans d'autres laboratoires qui etudient des dispositifs npp-p avec une zone de transition en inp. La structure etudiee, et plus particulierement la zone de transition, a ete optimisee a partir de simulations numeriques. Cela a permis d'obtenir des conditions de transport des porteurs satisfaisantes dans le composant. Une caracterisation des coefficients d'ionisation dans les structures multicouches a permis la determination des champs electriques necessaires a l'obtention du phenomene d'avalanche. Un facteur de multiplication de 10 ainsi qu'un facteur d'exces de bruit de 4 pour un fonctionnement a 10 gbit/s ont ete obtenus avec ces dispositifs. Cela a conduit a la realisation d'un photorecepteur dont la sensibilite calculee est de -30 dbm a 10 gbit/s