Abstract FR:

Le but de cette these est d'etudier la formation de couches de dioxyde de silicium obtenues a partir du depot d'une solution siliceuse intrinseque ou dopee phosphore suivi d'un recuit thermique rapide en four a lampes. Il s'agit d'adapter cette technologie a la fabrication d'un emetteur de photopile en utilisant la couche d'oxyde depose comme element de passivation de surface. Le premier chapitre pose le probleme de la formation d'un emetteur conventionnel efficace de cellule solaire compte tenu des differentes limitations liees au surdopage du materiau silicium. Il convient pour cela de realiser des jonctions peu profondes revetues d'une couche de passivation de surface. Les techniques de depot et de croissance d'oxyde les plus generalement utilisees y sont decrites, avant de proposer notre propre solution technologique. Le quatrieme chapitre presente celle-ci comme une technique alternative capable de produire des couches d'oxyde minces et epaisses de bonne qualite structurelle et electronique en un minimum de temps. L'etude de la diffusion du phosphore a partir d'une couche de silice dopee est presentee dans le cinquieme chapitre. L'amincissement des couches d'oxydes deposees jusqu'a des epaisseurs aussi faibles que 10 nm permet d'abaisser la concentration de dopant en surface et de reduire la profondeur de jonction. D'autre part dans l'intervalle de temperature utilise, les quantites de dopants disponibles restent suffisantes pour induire une amelioration de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans le substrat de silicium durant l'etape de diffusion du phosphore par un processus de migration de migration des impuretes metalliques. Enfin, l'effet de passivation de surface des couches d'oxyde dope est demontre. Ce procede de fabrication permet donc de fabriquer en un seul cycle thermique un emetteur de cellule solaire reunissant toutes les conditions pour un fonctionnement optimal, et se presente donc comme une technologie economique, sure et efficace