Abstract FR:

Ce memoire presente les resultats d'une modelisation et d'une etude de faisabilite technologique d'un photorecepteur integrant un detecteur hgcdte a un transistor a effet de champ gaas. La modelisation vise la definition de certaines regles d'optimisation des parametres technologiques et electriques, directement utilisables lors de la phase de conception du dispositif. Les principales caracteristiques etudiees sont d'une part, le facteur de bruit et le rapport de la transconductance sur le carre de la capacite pour le transistor et d'autre part, le rendement quantique, la reponse spectrale et la detectivite du photoconducteur. La simulation du photorecepteur montre que le transistor contribue a augmenter la reponse du photoconducteur et ceci pour une faible perte en detectivite. Le principe technologique retenu est celui de l'association entre une epitaxie localisee de hgcdte sur gaas et l'elaboration d'un transistor a effet de champ gaas a grille semi-conductrice gaalas. A l'issu du travail de technologie, il apparait que la difficulte majeure de compatibilite se situe au niveau de la planeite de surface du hgcdte. Les resultats des caracterisations electriques des transistors sont satisfaisants, mais ceux des photoconducteurs montrent que les couches de hgcdte sont encore tres perturbees. De toute evidence, aussi bien au niveau technologique que sur le plan des performances electriques et optiques, la resolution des problemes passera par la maitrise de la qualite des interfaces a l'epitaxie localisee de hgcdte sur substrat gaas