Abstract FR:

Cette these est une contribution a l'etude de la gravure ionique reactive (rie) des semiconducteurs iii-v en plasmas chlores cl#2/ch#4/h#2/ar. Une analyse in situ de la surface gravee a ete mise en uvre par une methode d'interferometrie laser sur des motifs de test constitues de reseaux. Les parametres caracteristiques de la surface gravee sont alors accessibles en temps reel. La rie offre un outil pour les applications a l'optique integree: realisation de dispositifs passifs (guides a faibles pertes, miroirs ou virages) et de dispositifs actifs (commutateurs, modulateurs, detecteurs, etc. ). La precision apportee par le systeme d'interferometrie laser donne un meilleur controle du confinement lateral: c'est un avantage pour realiser des structures qui font intervenir des phenomenes de conversion de modes ou de couplage par ondes evanescentes