Abstract FR:

Les proprietes des heterostructures sige/si ont recemment suscite un vif interet. Ceci est du a leur possibilite d'ameliorer les performances des dispositifs tels que les transistors bibolaires a heterojonctions (hbts). L'existence d'une contrainte compressive dans les films de si#1#-#xge#x pseudomorphiques conduit a des problemes de stabilite et a une limite de l'epaisseur des films. L'addition de carbone en site substitutionnel permet de compenser la contrainte presente dans l'alliage binaire et d'augmenter les possibilites d'ingienerie de bande interdite. L'integration de ces composes a base de si dans les circuits integres necessite une bonne maitrise des metallisations. Le travail presente dans ce memoire comprend deux parties. Dans la premiere partie, nous montrons l'effet des conditions de pression sur les proprietes physiques des films de w et sur les caracteristiques electriques du contact w/si. Nous avons observe une modification des proprietes physiques des films de w pour une pression critique de gaz rare. A cette pression, nous avons aussi observe une modification de hauteur de barriere sur le type n, alors que la hauteur de barriere sur le type p reste constante. Ce dernier resultat montre que le niveau de fermi est bloque par rapport a la bande de valence a l'interface w/si. Dans la seconde partie, nous avons etudie l'effet de l'incorporation du carbone dans si et sige sur la contrainte des films. L'incorporation du c en substitution dans si conduit a des films en tension, alors que, dans les alliages sige, qui sont en compression initialement, l'incorporation de c permet, dans un premier temps, de diminuer la contrainte puis de compenser et enfin d'inverser la contrainte. L'etude des proprietes electriques des diodes schottky w/sige, w/sic et w/sigec a ete egalement effectuee. Pour les alliages sige, nous avons correle les variations de hauteurs de barriere sur le type-n et le type-p en fonction de la concentration en ge et de la contrainte aux discontinuites aux niveaux des bandes de conduction et de valence respectivement. Pour l'alliage sic, la hauteur de barriere sur le type-n diminue avec la concentration en c, alors que la hauteur de barriere sur le type-p augmente. Ce resultat montre que l'interface entre sic et si est de type ii et un changement de position de blocage de niveau de fermi. Les resultats w/sigec montrent que la hauteur de barriere sur le type-p augmente avec l'incorporation du c alors que celle sur le type-n reste constante. Ce resultat suggere que le niveau de fermi est bloque par rapport a la bande de conduction pour l'alliage ternaire