Abstract FR:

Un organotriethoxysilane a fonctionnalite pyrrole est utilise pour ameliorer l'adhesion d'un film de polypyrrole conducteur sur du verre. Les conditions de depot du silane a la surface de substrats plans de silice sont optimisees. Pour preciser le role de la fonctionnalite pyrrole sur l'adhesion et la croissance du film de polypyrrole, une etude comparative est menee sur l'aminopropyltriethoxysilane, depose dans les memes conditions. Le silane greffe constitue une couche polymerisee de faible epaisseur, homogene et de tres faible rugosite. L'orientation des molecules greffees, parallele a la surface de silice, confere aux substrats traites par les deux silanes une energie de surface a dominante dispersive, identique dans les deux cas. Les proprietes d'adhesion, de croissance et conductrices des films de polypyrrole deposes sur les deux silanes et la silice vierge sont etudies et relies aux informations obtenues sur les surfaces non revetues. Les cycles pyrrole du silane specifique jouent un role preponderant dans l'adhesion du polymere. La croissance de ce dernier est par contre essentiellement gouvernee par les energies de surface : croissance multicouche sur la silice silanisee, et granulaire sur la silice vierge. Les conductivites mesurees en cours de croissance corroborent l'examen morphologique, les silanes permettant d'atteindre rapidement des niveaux de 300 s/cm pour des films de polypyrrole tres homogenes de 500a. Des films de polypyrrole deposes suivant differentes conditions experimentales sur les surfaces silanisees sont caracterises du point de vue de leur structure. Certaines conditions permettent d'obtenir des chaines contenant peu de defauts structuraux, de plus grandes longueurs de conjugaison pour des taux de dopage eleves, associe a une conductivite elevee. Une transition vers un etat cristallin a basse temperature ete mise en evidence, dont l'existence est liee a la perte de l'eau contenue dans le materiau. Cette perte permet une reorganisation du materiau et un gain de conductivite.