Abstract FR:

On presente une methode simplifiee de modelisation fort signal des mesfet et tegfet et transistors bipolaires. Ces trois types de transistors sont utilises dans un montage oscillateur dont les caracteristiques ont ete determines de trois facons differentes, analytique par simulation electrique temporelle et par mesures experimentales. On presente enfin une etude en bruit bf et bruit mf des transistors et des oscillateurs afin de determiner le composant le plus performant. Nous proposons trois facons de determiner le coefficient de conversion bruit bf - bruit mf, par des mesures directes; indirectes et par simulation temporelle