Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude et la modelisation des transistors a effet de champ (fet) ingaas pour integration monolithique avec une photodiode pin dans le photorecepteur pin-fet. Apres une presentation des principales structures de fet developpees sur ingaas, de leurs domaines d'application et plus particulierement de l'integration opto-electronique du photorecepteur pin-fet, nous rappelons les proprietes physiques et de transport des materiaux 3-5 en insistant sur les valeurs des coefficients d'ionisation d'ingaas. Differents modeles unidimensionnels de transistors fet s'appuyant sur des resolutions analytiques ou numeriques des equations regissant la physique des semiconducteurs, et les modeles c. A. O. Sont presentes. Les methodes de caracterisation statique et dynamique sont explicitees au chapitre suivant. Nous etudions ensuite l'exces de courant de fuite de grille des transistors ingaas et ses variations avec la temperature. Une comparaison de ce phenomene entre les transistors fet ingaas et silicium est effectuee. Ce phenomene parasite est modelise a l'aide d'un modele distribue pour les fet, incluant l'hypothese d'ionisation par impact de paires electron-trou dans le canal du transistor. Puis les proprietes de bruit des fet ingaas sont etudiees et comparees a celles de fet gaas equivalents. Les parametres de bruit du fet ingaas sont deduits des mesures. Enfin les repercussions de ces phenomenes parasites (exces de courant de grille et de bruit des fet ingaas) sur les performances du pin-fet sont analysees