Abstract FR:

Le but de cette these est l'optimisation d'etapes technologiques critiques permettant la realisation du transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas en structure autoalignee: l'elaboration du contact ohmique d'emetteur gemow stable a haute temperature et sa gravure en t. Concernant la realisation du contact, une etude du depot par pulverisation cathodique des deux principaux constituants (w, mo) a ete menee et a abouti a la mise au point de parametres de depot permettant d'obtenir des films peu tendus et peu resistifs. Les differents parametres caracterisant le recuit du contact, ainsi que l'epaisseur de chaque couche ont egalement ete optimises de maniere a obtenir a la fois un bon masque pour l'implantation et un contact ohmique presentant une faible resistivite. D'autre part, la gravure ionique reactive de chacun des trois constituants a ete etudiee. L'influence des differents parametres de gravure sur le degre d'anisotropie et la formation de residus a ete etablie. Cette etude a permis de mettre au point la gravure en forme de t, necessaire pour notre technologie autoalignee, du contact gemow. L'optimisation de ces deux etapes a permis l'assemblage d'une filiere autoalignee. Des transistors de grande, puis de faible dimension ont ete realises avec cette technologie. Les caracteristiques statiques et dynamiques de ces transistors ont ete mesurees montrant la faisabilite et l'efficacite d'une telle technologie