Abstract FR:

Nous avons etudie deux types de photopiles solaires au silicium polycristallin (multicristallin), sur lesquelles des perfectionnements notables ont ete apportes pour elever leur rendement de conversion: 1) les photopiles epitaxiques, dont la zone active est une couche mince deposee sur un substrat de silicium metallurgique: grace a l'optimisation du champ arriere a l'interface substrat/zone active et a une texturisation produisant un certain confinement optique, on a porte le rendement a 12%; 2) les photopiles de haut rendement: partant d'une structure conventionnelle base/emetteur/couche antireflet/contacts metalliques serigraphies, on a ameliore: i) la base par un traitement de piegeage des impuretes, ii) le contact arriere par le depot d'une couche surdopee en bore, iii) l'emetteur, qui a ete aminci et passive par oxyde. Le rendement est porte 15. 6%. Les travaux d'ordre technologique ont ete completes par une analyse des parametres de recombinaison des porteurs, tant en volume qu'en surface, qui a permis d'expliquer quantitativement les resultats obtenus