Abstract FR:

La necessite de prevoir les performances des transistors fet millimetriques (mesfet, hemt) pour des frequences de plus en plus elevees, conduit a la recherche de modeles electriques decrivant de maniere fine le comportement du composant. Dans cette direction, nous presentons l'etude d'un modele de fet distribue utilisable aux frequences centimetriques et millimetriques pour les applications des amplificateurs m(h)mic. Ce modele considere les 3 electrodes (source grille et drain) comme 3 lignes de propagation couplees entre elles. On propose une procedure systematique de modelisation tant au point de vue signal (schema equivalent en petits signaux), qu'au point de vue bruit (determination des parametres de bruit) de transistors a effet de champ destines a fonctionner dans la bande des ondes centimetriques et millimetriques. On prend en compte les phenomenes de propagation dans les electrodes du transistor en considerant une modelisation semi-distribuee (decoupage en tranches), cette modelisation constituant, avec un nombre de tranches suffisant, une tres bonne approximation de modelisation distribuee exacte. A l'aide de la matrice de correlation, on presente aussi la c. A. O necessaire a la modelisation simultanee signal-bruit (electrique et thermique) et a l'etude des configurations optimales de ce composant et des transistors a ondes progressives (twfet)