Abstract FR:

L'objet de cette etude est la realisation d'un emetteur optique monolithique, integrant sur un substrat inp semi-isolant un laser b. R. S. 1,3 microns et des transistors mis de commande. Le choix des composants, du circuit du monolithe et de sa structure, justifie, l'etude des problemes de compatibilite, qui apparaissent dans l'association des technologies differentes de realisation du laser et du transistor, permet de definir la filiere technologique de fabrication du circuit integre. L'utilisation d'un modele de simulation statique de la structure brs contribue a l'optimisation du laser (courant de seuil, puissance optique), indispensable a la reussite de l'integration. Puis, les differentes phases de realisation des composants integrales sont exposees. Nous avons ainsi obtenu des emetteurs integres qui presentent une sensibilite de 3 mw/v et une bande passante de 2 ghz. Enfin, un modele petit signal du laser brs a ete developpe, et son utilisation a permis d'envisager des solutions d'amelioration du fonctionnement du monolithe. Une bande passante superieure a 5 ghz pourrait ainsi etre obtenue