Abstract FR:

Ce memoire est consacre a l'etude experimentale du bruit excedentaire de transistors cmos et bipolaires polycristallins integres dans un procede bicmos. Dans une premiere partie, le fonctionnement de ces dispositifs est rappele. Les differentes sources de bruit excedentaire sont localisees sur un schema equivalent. Dans une seconde partie, l'instrumentation dediee a la mesure sous pointes des generateurs de bruit equivalents e#n et i#n est presentee. Les performances de ce systeme sont quantifiees suivant deux axes. D'une part, son bruit propre est calcule pour s'assurer qu'il est negligeable. D'autre part, l'incertitude de mesure, liee a l'analyseur de spectre a fft et au protocole de mesure, est quantifiee pour deduire des conditions optimales de mesure. La derniere partie concerne les mesures effectuees sur differentes technologies bicmos. Pour les transistors mos, les resultats sont conformes a ceux issus de la bibliographie : le bruit des pmos s'explique par le modele de hooge et celui des nmos par le modele de mc worther. Les niveaux de bruit, du meme ordre de grandeur que ceux des technologies cmos pures, permettent de valider l'integration de ces composants dans un procede bicmos. Pour les transistors bipolaires, une normalisation des mesures est proposee pour identifier qualitativement les differentes sources de bruit. Appliquee aux technologies testees, nous montrons l'influence, sur le niveau de bruit excedentaire, de la structure de la couche d'oxyde separant les zones polycristalline et monocristalline de l'emetteur. La comparaison de deux technologies presentant des contacts metalliques differents permet d'emettre l'hypothese que le bruit excedentaire associe a la resistance d'acces d'emetteur est localise au niveau du contact.