Abstract FR:

Ce travail porte sur l'utilisation de films minces de nitrure de titane comme barrieres anti-diffusion sur des substrats de silicium. Ces films ont ete realises par pulverisation diode continue et nous avons etudie les modifications eventuelles de leurs proprietes lors de recuits sous vide, jusqu'a 800c. Dans un premier temps nous avons etudie le contact tin-si afin de determiner les conditions d'obtention d'un contact ohmique. A cette occasion nous avons mesure le travail de sortie du nitrure de titane avant et apres recuit. Nous avons egalement releve les variations de resistivite en fonction des temperatures de recuit. Nous avons examine la variation des contraintes en fonction des conditions de depot et des recuits, ceci par diffraction x, ce qui n'avait pas ete realise jusqu'alors, a notre connaissance, pour des films minces (2000 a) et fortement orientes 111. Enfin, le comportement des films comme barriere anti-diffusion a ete etudie par analyse auger. Nos resultats indiquent que les films constituent d'excellentes barrieres, que leur resistivite et les contraintes sont faibles