Abstract FR:

Le poly(methyl-3 thiophene) a ete greffe sous la forme de couches minces par des techniques electrochimiques sur des electrodes polycristallines de sulfure de cadmium dope a l'aluminium cds(al). Les proprietes structurales, electroniques et electrochimiques ont ete analysees en fonction de divers parametres impliques dans la synthese. Le contact electronique issu de ce greffage conduit lorsque le poly(methyl-3 thiophene) est fortement dope, a une barriere de type schottky. Les proprietes de ces barrieres sont decrites. La photoreponse de ces dispositifs est determinee par les proprietes electrooptiques de cds(al). Les densites de porteurs de charges relativement elevees dans ces couches sont affectees par la diffusion d'impuretes provenant de la couche sous-jacente d'oxyde d'etain-indium (ito). L'etude des caracteristiques photovoltaiques des cellules a permis d'etablir des correlations entre les conditions d'elaboration du poly(methyl-3 thiophene) et les performances de ces cellules. Des rendements de conversions proches de 2% sont obtenus en realisant la synthese du polymere par activation prealable de la surface de cds(al)