Abstract FR:

Ce travail est consacre a l'etude du comportement electronique de dispositifs electroluminescents en couches minces sous champ eleve. Il est en particulier consacre aux questions reliees a l'injection de porteurs de charge dans ces dispositifs ainsi que l'efficacite des porteurs en champ eleve. Le sujet est developpe en deux parties complementaires: 1) le comportement electrique des dispositifs a base de zns est caracterise par l'existence d'une charge d'espace positive dans la couche de zns qui rend le rendement d'excitation non-uniforme le long de la couche. Elle est principalement responsable pour la baisse du rendement d'excitation a haut niveau de charge transferee observee dans ces dispositifs electroluminescents. Des mesures en regime transitoire ont permis d'obtenir des informations supplementaires car, compare au regime stationnaire, le regime transitoire permet un meilleur controle des conditions experimentales. Ainsi, l'application d'un pulse de tension a un echantillon vierge entrainant une faible charge transferee pour le premier pulse a permis de limiter l'influence de la charge transferee au cours de ce pulse sur le champ electrique. Il a ete trouve que le champ est deja non-uniforme dans un echantillon vierge avant l'application du premier pulse. La contribution du volume a la charge transferee augmente avec l'epaisseur de la couche semi-conductrice mais le taux de multiplication des porteurs de charge reste modere. A faible niveau de charge transferee le coefficient d'ionisation ne depasse pas des valeurs de l'ordre de 10#4 cm#-#1. 2) des dispositifs electroluminescents ayant comme couche active du thiogallate de strontium (srga#2s#4) dope ont ete realises par la pulverisation cathodique reactive magnetron. Ce materiau permet l'acceleration de porteurs de charge a des energies optiques. On observe une electroluminescence lorsqu'il est dope avec les ions eu#2#+, ce#3#+ ou pb#2#+. Il peut etre considere comme une matrice hote prometteuse pour l'electroluminescence sous champ eleve