Abstract FR:

Ce memoire presente l'elaboration d'un modele grand signal hyperfrequence du transistor mesfet, utilisable dans un logiciel de cao non lineaire. Dans une premiere partie, nous presentons les modeles analytiques developpes a partir des equations de base des semiconducteurs selon certaines hypotheses simplificatrices. Ces modeles, utiles pour etudier l'influence des parametres technologiques et du materiau de base, ne decrivent pas correctement le comportement du composant en hyperfrequence. L'approche retenue par la determination des elements du schema equivalent, exposee dans le deuxieme partie, utilise des techniques de caracterisation statique et dynamique petit signal. Des bancs de mesures automatiques permettent alors l'extraction directe des elements intrinseques en fonction du point de polarisation dans les deux modes de fonctionnement fondamentaux du mesfet (canal normal et canal inverse). L'acquisition de l'evolution des elements intrinseques du modele en fonction des tensions de commande internes est realisee a l'aide d'un algorithme specifique propose dans le troisieme partie. Le comportement non lineaire du transistor est alors decrit, dans un logiciel de cao, par les fonctions splines bicubiques d'interpolation. Enfin, le modele de controle de charge propose regroupe les non-linearites des capacites cgs et cgd en une seule non-linearite: la charge stockee sous la grille