Abstract FR:

Cette etude est consacree aux effets de la dose cumulee de rayonnements ionisants sur les transistors mos. Les effets physiques de la dose cumulee, qui comprennent trous pieges dans l'oxyde de grille et etats d'interface a la frontiere silicium/isolant, sont decrits, ainsi que leurs consequences sur le fonctionnement electrique des transistors et circuits mos. Puis nous presentons une etude experimentale, qui nous a montre le caractere deterministe de la reponse des transistors et circuits integres simples. Cette verification faite, nous proposons un modele physique unidimensionnel permettant de calculer les caracteristiques electriques statiques d'un transistor mos irradie, dont la densite de trous pieges et la distribution energetique d'etats d'interface sont supposees connues. La mise en uvre du modele, dans le cadre du simulateur electrique omega, developpe a supelec, nous a permis d'etudier l'influence de la forme de cette distribution sur les caracteristiques electriques d'un mosfet en faible inversion. Les resultats theoriques obtenus sont valides par une etude experimentale sur plusieurs types de technologies. Enfin, nous decrivons une methode originale, deduite du modele propose, qui permet de mesurer la charge totale, somme de la charge des trous pieges et de celle des etats d'interface, comme fonction du potentiel de surface