Abstract FR:

Les modeles et les methodes associees a la caracterisation electrique du tmos et particulierement, leur application aux technologies soi constituent l'objet de ce travail. Le premier chapitre est consacre a l'analyse du fonctionnement electrique du tmos/silicium massif ; nous proposons une expression unifiee en inversion faible, moderee et forte, pour le courant de drain, en regime lineaire, et son application a l'extraction de la tension de seuil. On analyse aussi l'influence des polarisations sur la sensibilite du tmos utilise comme capteur de champ magnetique. Le developpement theorique et experimental de la technique du pseudo-transistor mos, pour l'evaluation des materiaux soi sur plaquette, est donne dans le deuxieme chapitre. On y presente : la validation d'une nouvelle methode pour la determination de la duree de vie de generation dans les materiaux soi, l'etude de l'influence des resistances serie et des contacts schottky, la methode 3-pointes et l'evaluation du materiau unibond. Le troisieme chapitre est dedie a l'etude du tmos en technologie soi : on analyse le regime transitoire du courant de drain en inversion faible associe a la technique de zerbst et on effectue une etude systematique de la degradation des tmos/simox par irradiation gamma a de fortes doses (>1mrad).