Abstract FR:

L'augmentation du taux d'integration des circuits electroniques modernes necessite leurs miniaturisations. La resolution de la lithographie optique conventionnelle est limitee a cause de la diffraction qui augmente avec la longueur d'onde. L'approche naturelle pour ameliorer la resolution est l'utilisation de rayonnement de courte longueur d'onde. Ceci necessitera le developpement d'un systeme de masquage au rayonnement utilise. Cette these presente une etude en lithographie par rayons x. Les parametres de depot de films minces d'or par voie electrolytique, pour la realisation de masques x comprenant des motifs submicroniques ont d'abord ete optimises. D'autre part nous avons contribue a la realisation d'une station de lithographie x utilisant le rayonnement synchrotron de super a. C. O. (orsay, france). Cette station comporte un monochromateur, une chambre d'exposition et un photorepeteur. Finalement une etude de simulation de l'effet de diffraction pour des motifs submicroniques a ete effectuee. Les meilleures conditions d'insolation ont ete determinees. Nous avons ainsi pu dupliquer des masques avec une resolution de 75 nanometres