Abstract FR:

Cette these traite de la conception d'un oscillateur travaillant a frequence elevee (1 a 10 ghz) et fait a partir de transistors a fort gain et de forte puissance (500 mw a 1 w) en ga as. Cet oscillateur est modulable en frequence, presente une bonne linearite tout en fournissant une puissance de sortie elevee. Elle montre aussi que la resistance au brouillage de l'oscillateur tout en respectant la linearite de la modulation de frequence. On presente deux exemples de realisation sur verre teflon et epoxy pour valider le modele