Abstract FR:

Des transistors a effet de champ de type metal-oxyde-semiconducteur ont ete realises a partir de couches minces de silicium polycristallin non dope a petits grains. Ces dispositifs presentent un fonctionnement ambipolaire: possibilite de former un canal n ou p suivant la polarisation de grille; a l'etat bloquant, le courant est limite par la forte resistivite du silicium polycristallin non dope. Nous montrons que le comportement electrique de ces dispositifs peut etre modelise en considerant que la couche de silicium est une couche monocristalline dans laquelle sont repartis uniformement des pieges en concentration equivalente a la concentration moyenne des pieges intergranulaires. La diminution des tensions de seuil et l'augmentation des mobilites des porteurs dans le canal ont ete obtenues par differents traitements thermiques.