thesis

Propriétés physiques des structures métal/isolant/semiconducteur réalisées sur INP(N) à l'aide d'un oxyde natif plasma

Defense date:

Jan. 1, 1988

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Institution:

Nancy 1

Disciplines:

Applied sciences

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS