Abstract FR:

Dans le premier chapitre on trouve une revue generale des proprietes cristallographiques, optiques et electriques des materiaux quaternaires ingaasp. Le second chapitre donne le principe et les mecanismes de l'interdiffusion. Nous presentons aussi dans ce chapitre les applications de l'interdiffusion dans les heterostructures a puits quantiques ainsi qu'une synthese bibliographique sur l'interdiffusion dans le quaternaire ingaasp. Le troisieme chapitre concerne la modelisation de l'interdiffusion dans les semiconducteurs iii-v. Le quatrieme chapitre etudie l'interdiffusion induite par recuit thermique dans un superreseau gainp/gaas. L'interdiffusion induite par implantation ionique de silicium dans ce systeme est aussi examinee. Dans le cinquieme chapitre nous menons une etude originale sur l'interdiffusion selective induite par la presence du phosphore gazeux pendant le recuit et par masquage dielectrique. Nous montrons que l'interdiffusion est fortement dependante des conditions de surface. L'effet de la contrainte, de la distance du puits quantique a la surface ainsi que la presence de dislocations dans le puits sont aussi examines dans ce chapitre. L'application de cette technique d'interdiffusion selective a l'integration monolithique des composants optoelectroniques est aussi presentee. Le dernier chapitre etudie l'interdiffusion induite par le phosphore dans un superreseau ingaas/inp, courte periode, insere dans une diode p-i-n. Nous montrons que l'interdiffusion de phosphore induit une inversion de type du superreseau