Simulation electro-thermique d'un thyristor-gto (1200 v, 30 a) fonctionnant en commutation
Institution:
Paris, CNAMDisciplines:
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Abstract FR:
Le comportement electro-thermique d'un thyristor gto 1200v-30a fonctionnant en commutation dans son environnement electrique reel (hacheur parallele) a ete etudie en utilisant l'ensemble de logiciels de simulation bidimensionnelle atlas (silvaco) et en se basant sur les donnees techniques fournies par le constructeur du composant. L'etude comprend : l'analyse detaillee de la structure reelle du thyristor gto et celle du hacheur parallele ; la mise au point d'un programme de calcul qui fait appel aux differents logiciels de l'environnement atlas et qui prend en compte l'environnement thermique ; et enfin l'application de ce programme a la simulation electro-thermique d'une, puis de plusieurs commutations successives du thyristor gto. Toutes les caracteristiques electriques obtenues par simulation ont ete trouvees en tres bon accord avec celles obtenues experimentalement dans les memes conditions. L'evolution de la repartition bidimensionnelle des differents parametres internes du thyristor gto (repartition des porteurs, champ electrique, densite et lignes de courant, ) a ete ensuite analysee tout au long d'une commutation. Enfin, la repartition bidimensionnelle de la temperature a l'interieur du thyristor gto et son evolution a l'echelle de la nanoseconde ont ete etudiees par cette simulation pendant toute la duree des commutations.