Abstract FR:

Les photodiodes metal-semiconducteur-metal font actuellement l'objet de nombreuses recherches, motivees par leur structure planaire qui se prete bien a leur integration monolithique avec des transistors ou des guides optiques semiconducteurs, ainsi que par leurs caracteristiques specifiques, en particulier leur tres faible capacite de jonction. Dans ce memoire, nous presentons l'etude d'une photodiode alinas/gainas adaptee a la detection des longueurs d'onde 1,3-1,6 m. Grace a l'utilisation de regions a gradualite de composition, les photodiodes realisees (gmsm) presentent des caracteristiques interessantes: courant d'obscurite de l'ordre du na, capacite de jonction inferieure a 40 ff, sensibilite de 0,6 a/w et largeur a mi-hauteur de leur reponse impulsionnelle inferieure a 50ps. L'absence de gain en basse frequence et de trainee dans la reponse impulsionnelle illustre l'absence de pieges en particulier en surface perturbant le fonctionnement du photodetecteur. Afin de verifier les possibilites offertes par ce type de composant en optoelectronique monolithique, l'integration d'une photodiode gmsm et d'un transistor a effet de champ a heterostructure alinas/gainas a ete etudiee. Une structure quasi-planaire a ete realisee, mettant en uvre une implantation d'isolation sous le canal du transistor