Abstract FR:

Cette these est principalement consacree a l'etude experimentale et theorique des structures minces du type metal/n**(+)in**(+)/metal a base de silicium amorphe hydrogene. Dans un premier temps, nous nous affranchissons des problemes des resistances parasites dues a la presence des jonctions metal/n**(+), en etudiant ces jonctions de facon detaillee lorsque le metal utilise est de l'oxyde d'etain, du chrome ou de l'aluminium. Nous serons amenes a corriger de facon empirique et si necessaire, les caracteristiques j(v) mesurees afin que celles ci decrivent le comportement de la couche centrale intrinseque. Nous presentons ensuite une nouvelle modelisation du transport des electrons injectes dans de telles structures. Cette modelisation prend en compte la contribution des courants dus a la diffusion des electrons a la densite de courant totale, ce qui permet de tenir compte de facon explicite du comportement des bandes aux interfaces n**(+)/i. L'ensemble des resultats obtenus sur nos echantillons nous mene a conclure que dans le cas de nos mesures, il n'y a pas de signe d'augmentation de la densite d'etats pres des interfaces n**(+)/i. Ces interfaces ne sont pas du tout abrupts mais entierement decrits par la densite des electrons pieges au voisinage du niveau de fermi. Quelques resultats concernant l'alliage si-ge depose au sein de notre laboratoire sont presentes a la fin de ce travail