Abstract FR:

Le but de cette recherche est de mettre au point une technologie dite auto-alignee pour la fabrication de transistors integres a effet de champ (mesfet) sur un materiau specifique, l'arseniure de gallium, et sur l'une de ses heterostructures, l'algaas/gaas (tegfet). Le type de filiere technologique choisi est un procede a base d'auto-alignement de l'implantation des caissons n+ sous les contacts ohmiques (source et drain) par rapport a une grille supportant le recuit d'activation. Chaque etape critique du procede est analysee physiquement (sims) et electriquement (c(v) et effet hall). Cette technologie se deroule sur un substrat oriente a 45#o par rapport a la normale (axes (010) plutot que (011) pour eviter des effets piezoelectriques dissymetriques. L'implantation des caissons n+ et le recuit rapide (rta) s'effectuent a travers une fine couche (500 a) du metal de grille. La grille est composee d'or et de tiwsi pour supporter le recuit d'activation. Les implantations n+ sont espacees de la grille par une technique de double side-wall (dielectriques graves par gravure rie anisotrope). Les resultats de cette technologie sont suffisamment performants (rendement superieur a 90%, dispersion courte distance du vt inferieur a 10 mv, facteur de merite inferieur a 30 fj) pour envisager la construction de convertisseurs analogiques/numeriques de precision 6 bits sur gaas. La meme technologie appliquee a l'algaas/gaas donne aussi de tres bons resultats