Abstract FR:

Dans le domaine des laser a semiconducteurs, la realisation de composants emettant dans le bleu presente un grand interet sur le plan technologique (notamment pour le stockage de l'information). Parmi les semiconducteurs ii-vi, znse a ete adopte comme constituant de base de ces composants (son gap est de 2. 7 ev, soit une longueur d'onde de 460 nm). Ce memoire traite de la realisation d'heterostructures ii-vi a base de znse elaborees par epitaxie par jets moleculaires sur substrat de gaas et presente une etude des differentes etapes pour l'obtention de diodes laser bleues. Nous avons etabli les conditions de croissance de znse intrinseque qui permettent d'obtenir un materiau de haute qualite. Le dopage de znse par le chlore (type -n) est aise ; en revanche le dopage par l'azote (type -p) reste limite par un phenomene de compensation. Nous reportons en outre un examen de l'heterointerface znse/gaas. Des structures a multi puits quantiques zncdse/znse (zone active du composant) ont ete elaborees. Nous etudions leurs proprietes structurales par diffraction de rayons x et optoelectroniques par spectroscopie de photoluminescence. Nous presentons une methode d'analyse pour la determination des parametres des structures et notamment l'examen de leur etat de relaxation. La croissance d'alliages sulfures (couches de confinement) accordes parametriquement au substrat a ete realisee. Pour le ternaire znsse, l'obtention d'un materiau de grande cristallinite passe par l'optimisation de la couche tampon de znse. Concernant le quaternaire znmgsse, des problemes d'homogeneite subsistent pour les conditions examinees. Nous presentons enfin les demonstrateurs realises : une diode laser bleue emettant a 492 nm et fonctionnant a 80 k en mode pulse (c'est une premiere en france) ; puis une structure znsse/znse/zncdse produisant, par pompage optique, une emission laser a 483 nm a 300 k.