Abstract FR:

Les heterostructures si#1#-#xge#x/si jouent un role de plus en plus important dans les circuits vlsi a base de si. La decroissance rapide de l'energie de bande interdite du materiau si#1#-#xge#x contraint avec la concentration en ge est interessante pour un grand nombre de dispositifs. De telles applications necessitent une bonne maitrise des metallisations. Dans ce memoire, nous montrons l'influence de la composition en ge et de la contrainte sur les proprietes electriques de la diode schottky w sur si#1#-#xge#x de type n et p, et aussi le comportement de ce contact sous traitements thermiques. La hauteur de barriere schottky sur le type n n'est pas sensible aux parametres de depot, alors que la hauteur de barriere sur le type p montre une dependance avec la composition en ge identique a celle de l'energie de bande interdite des films de si#1#-#xge#x. La hauteur de barriere sur le type p est egalement sensible a la contrainte dans la couche: elle augmente avec le taux de relaxation de la meme maniere que l'energie de bande interdite du si#1#-#xge#x. Cela suggere que le niveau de fermi est bloque par rapport a la bande de conduction. Dans un deuxieme temps, nous avons etudie la stabilite thermique du contact w/si#0#,#6#7ge#0#,#3#3 apres des recuits conventionnels et des recuits rapides. Les recuits rapides empechent la formation d'oxyde de w et nous n'observons pas de decomposition de l'alliage, comme c'est le cas au cours des recuits conventionnels. A 1000c, les deux recuits conduisent a la formation de wsi#2 tetragonal. Ce siliciure contient du ge, mais en quantite inferieure a celle presente dans la couche de si#1#-#xge#x de depart. On ne forme pas de compose entre le w et le ge. Quelques mesures electriques ont egalement ete effectuees apres recuits rapides sur la diode schottky w/si#0#,#8#3ge#0#,#1#7 de type p