Abstract FR:

Ce memoire concerne l'etude d'une technique de dopage photoassiste par laser du silicium. Dans ce procede, l'echantillon place sous atmosphere de gaz dopant (bcl#3, bf#3, pf#5) est irradie au moyen d'un laser uv pulse excimere (arf, krf, xecl) qui provoque a la fois la fusion superficielle de l'echantillon et la decomposition des molecules du gaz qui constitue la source d'atomes dopants. La diffusion en phase liquide dans le silicium fondu de ces atomes permet de former des jonctions minces a profil rectangulaire en technologie vlsi et pour la fabrication de cellules photovoltaiques. Nous avons etudie l'influence des parametres du dopage laser sur les resistances carrees de surface et sur les profils de concentration en impuretes des jonctions ainsi formees. Les caracteristiques electriques des jonctions n#+p et p#+n formees par cette technique ont egalement ete etudiees et les limitations de leurs performances ont ete discutees