Abstract FR:

Ce memoire traite de l'utilisation de la microscopie electronique en transmission dans l'analyse des circuits integres afin de solutionner les problemes de controle de qualite qui se posent sur les dispositifs hautement integres. L'ensemble de cette etude est basee sur l'observation de tranches de circuits, ou dispositifs de tests, permettant ainsi la visualisation des differents niveaux metallurgiques et de leurs interfaces. La mise en uvre d'analyses de construction, sur produits finis, a permis une mesure precise des parametres technologiques avec une precision de 1 nm. Dans un deuxieme temps, l'etude portant sur le controle du procede d'elaboration des couches d'oxydes minces (30-100 a) nous a permis d'optimiser l'etape de nettoyage du silicium avant l'oxydation thermique. La visualisation de cette couche, en mode haute resolution, selon le plan vertical nous a permis d'apprecier la rugosite de l'interface silice/substrat de silicium, de mesurer precisement l'epaisseur du dielectrique et de montrer l'influence du metal de grille sur ce dernier parametre