Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la caracterisation et a la modelisation des materiaux et des dispositifs silicium sur isolant (soi). Dans le premier chapitre, nous presentons les differentes technologies des substrats soi et leur interet pour la microelectronique. Nous rappelons ensuite les phenomenes specifiques des transistors mos fabriques sur ces substrats. Le deuxieme chapitre est consacre a la modelisation et a la caracterisation d'un pseudo-transistor mos realise sur un substrat simox. Le grand nombre de parametres electriques et technologiques determine est suffisant pour l'optimisation du materiau soi et pour avoir une idee prealable sur les performances des dispositifs a realiser sur ces substrats. Dans le troisieme chapitre, la technique du courant de pompage de charge et la mesure du courant de fuite sont utilisees pour modeliser et caracteriser la diode controlee par grille. La mesure de ces deux courants electriques permet la determination des defauts en volume de la couche de si et aux deux interfaces si/sio2. Le phenomene de couplage d'interfaces est illustre sur plusieurs caracteristiques des deux courants. Le dernier chapitre traite l'influence de la temperature sur les caracteristiques des transistors mos sur soi. Nous montrons que les caracteristiques de ces transistors et en particulier les tmos totalement desertes sont moins degrades avec la temperature que celles des transistors sur substrats massifs. Nous proposons des relations empiriques gouvernant la variation de certains parametres du transistor avec la temperature