Abstract FR:

La topologie complexe des circuits d'un dispositif electronique, tels que les lignes metalliques de commande d'un ecran plat de visualisation, induit des modifications locales des proprietes des films qui les recouvrent. Cette etude a pour but, d'evaluer et de comprendre les mecanismes de recouvrements de structures, par des films de silicium amorphe (a-si:h) et d'oxyde de silicium (sio#x). Ces materiaux sont deposes dans un reacteur industriel, par des procedes chimiques en phase vapeur assistes par plasma. Nous developpons un modele de recouvrement de structures faisant intervenir deux types de radicaux. La diminution du taux de conformalite (recouvrement) des films de a-si:h, est interpretee comme une augmentation du rapport des densites des radicaux sih#2 et sih#3, issus de la decomposition des melanges silane-hydrogene. Les simulations numeriques du modele confirment ce resultat, et reproduisent les profils de couverture de tranchee. Le recouvrement de tranchees s'accompagne de defauts de coalescence a l'origine de fuites chimiques et electriques dans des films de silice. Nous presentons une methode de caracterisation simple et rapide de ces defauts. Le developpement d'un procede a base d'un melange sih#4-n#2o-h#2 permet d'obtenir un meilleur comportement des depots. Enfin, nous decrivons et modelisons la croissance de defauts nodulaires obtenus a partir du recouvrement de particules presentes sur le substrat.