Abstract FR:

Ce travail concerne la fabrication de couches de semiconducteurs iii-v et la realisation de structures pour transistors bipolaires a heterojonction. Ces structures font appel aux composes gaas, gaalas et gainas elabores par epitaxie par jets moleculaires. On etudie l'influence des conditions de croissance sur les caracteristiques des materiaux et notamment l'evolution des coefficients de collage des elements iii et la pression minimale d'arsenic necessaire a la croissance. On tente de modeliser les resultats experimentaux par une approche thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires. On analyse les caracteristiques electriques des transistors en regime statique