Abstract FR:

La pulverisation cathodique est l'une des methodes les plus utilisees pour le depot de films minces. Elle presente de nombreux avantages, mais elle est delicate a mettre en uvre dans le cas de films minces d'alliages parce qu'il est tres difficile d'en controler la composition chimique. C'est pour tenter de resoudre ce probleme que nous avons concu et realise un equipement de pulverisation cathodique triode ultravide multicible sequentiel. Ce dispositif est capable de fabriquer des couches minces dont la composition chimique est definie a mieux que 0. 4%. Il permet de controler la composition chimique au niveau d'une monocouche atomique. Il est constitue de quatre sous-ensembles: le controle du plasma, le controle du taux de depot, le sequencement rapide de la polarisation des cibles, et enfin le calcul, l'analyse ainsi que la correction du rendement de pulverisation cathodique. Le taux de depot est obtenu par une mesure de la frequence de resonance d'un quartz de 16 mhz, grace a une chaine de comptage reliee a un ordinateur. En utilisant un dispositif de vernier digital, nous avons pu d'autre part augmenter la vitesse de lecture du quartz, de maniere a evaluer sa derive en temperature et a s'en affranchir, d'autre part ameliorer la resolution (10 picogrammes par seconde), ce qui nous permet de deceler le 1/1000e de couche atomique en un temps de comptage de 100 millisecondes. Il est ainsi possible de realiser un ajustement dynamique de la composition chimique d'un film mince pendant le processus de pulverisation. Cet objectif a pu etre realise grace au controle par un ordinateur de la duree de polarisation des cibles