Abstract FR:

Les reductions des dimensions des dispositifs integres dans les circuits vlsi requierent, de par l'augmentation du nombre de niveaux metalliques, l'introduction de nouveaux procedes de planarisation des dielectriques complexes, donc peu reproductibles. La necessite de methodes de controle non destructif de ces procedes est devenue imperative. Le travail a ete articule autour de la methode doped (deformation optimale du profil evaluee par diffraction) developpee pour controler ces differentes etapes. Elle est basee sur l'analyse de la lumiere diffractee quand on illumine un reseau-test par une lumiere monochromatique. Les principes de la diffraction et d'obtention d'un diagramme de diffraction sont detailles. Cette methode a ete initiee pour evaluer le niveau de fluage atteint par le bpsg (borophosphosilicateglass) constituant le premier dielectrique de la technologie cmos 1 micron du cnet (centre national d'etudes des telecommunications). On s'interesse aux applications de ce controle et a son adaptation a un controle systematique en ligne. Une methode originale de determination de la viscosite des verres d'oxydes deposes en couches minces, basee sur la simulation du fluage et de la diffraction est proposee. Grace a cette methode, l'influence de la methode de depot, de la composition du verre et meme de son histoire thermique est appreciee. La determination de la viscosite par cette methode permet la comparaison a d'autres phenomenes thermiquement actives. On presente les capacites de la methode a estimer la topologie resultat d'etapes critiques de planarisation en technologie cmos, telles que la formation d'espaceurs, la planarisation par gravure pleine plaque avec ou sans couche d'insertion sacrificielle. L'utilisation de la methode doped a un controle en ligne qualitatif et son extension au controle d'autres etapes des procedes de fabrication des ci est enfin abordee