Abstract FR:

Les travaux presentes dans ce memoire s'appliquent aux composants electroniques de type mos. Nous nous interessons aux effets des rayonnements sur ce type de structures et notamment a l'evolution apres irradiation de leurs caracteristiques electriques. Nous explorons ainsi divers mecanismes lies aux effets ionisants et non ionisants de ces rayonnements. Les resultats obtenus sur des structures mos elementaires nous permettent d'interpreter le comportement de circuits plus complexes (dispositifs a transfert de charge). Le premier chapitre contient une description generale des degradations et rappelle l'importance des structures d'isolation dans les technologies microelectroniques. Dans les deux chapitres suivants, nous nous concentrons sur les effets permanents des rayonnements photoniques et neutroniques. L'effet des rayons x est etudie dans des oxydes epais obtenus par oxydation thermique ou bien par implantation de type simox. Le comportement sous irradiation revele l'influence du procede de fabrication sur la structure physique de ces oxydes. Les techniques de recuits isochrone et isotherme sont appliquees aux dtc, transistors ou capacites irradies afin d'evaluer le comportement post-irradiation de la structure mos. L'oxyde enterre simox se distingue des oxydes thermiques classiques par un spectre energetique de depiegeage particulier. La formation retardee d'etats d'interface dans les dtc est etudiee en detaillant l'influence de divers parametres, mettant ainsi en evidence la complexite de ce phenomene physique