Abstract FR:

Cette these presente l'etude et la realisation de redresseurs rapides haute tension sur silicium du type pin. Ces diodes fonctionnent sous controle d'injection. La charge electrique presente dans la zone centrale pendant la phase de conduction est limitee par la structure des emetteurs n et p. Ce mode de fonctionnement n'est assure qu'avec des emetteurs dont la dose des proches de 2. E+12 cm##2. Cela necessite alors de travailler avec des jonctions courtes inferieures a 400 nm pour garantir a la fois cette dose faible et une concentration en surface indispensable a une bonne prise de contact. Pour eviter une chute en direct trop importante, due a la faible quantite de porteurs injectes, la zone centrale doit avoir une duree de vie elevee et une epaisseur minimum. Pour une tension de claquage de 1000 v et a partir d'un substrat de 40-50 ohm. Cm, le composant est fabrique sur un voile mince de silicium de 0,1 mm, obtenu grace a un assemblage de deux technologies: autosoudage et gravure anisotropique du silicium. Pour une diode de 10 mm#2 ayant une tension de claquage de 1000 v, la chute en direct est de 1,25 v a 20 a. Le temps de recouvrement, pour 20 a commute est de 150 ns. Cette diode n'ayant pas besoin de diffusion metallique, la temperature a moins d'influence sur les performances electriques