Abstract FR:

Cette these decrit l'analyse fondamentale, la simulation electrique et la strategie d'implantation des circuits integres analogiques tres rapides a base de transistors bipolaires a heterojonction en arseniure de gallium (tbh-gaas). On donne d'abord un apercu sur les regles de dessin et la methodologie d'implantation relatives aux tbh-gaas adoptees par le laboratoire du c. N. E. T bagneux, on presente ensuite l'etude et la conception d'un amplificateur operationnel utilise dans le domaine de l'amplification lineaire hautes frequences et en commutation rapide, puis on aborde l'elaboration et l'evaluation des performances d'un convertisseur analogique-numerique (can) 2 bits de structure flash et d'un can 8 bits de structure semi-flash, travaillant selon la famille logique cml-ecl