Abstract FR:

Le sujet de cette thèse concerne la modélisation et la simulation numérique de la diffusion des dopants dans les composants microoptoélectroniques à base de matériaux III-V. Cette diffusion peut se produire au cours des traitements thermiques nécessaires à la fabrication des composants (épitaxie, réalisations de contacts,. . . ) Dans un premier temps, les aspects physiques et technologiques de la diffusion sont abordés. Une attention particulière est accordée au mécanisme substitutionnel-interstitiel de diffusion. La modélisation de la diffusion des dopants de type p dans les matériaux III-V aboutit à la résolution numérique de systèmes non linéaires d'équations différentielles aux dérivées partielles. Deux méthodes ont été utilisées : la méthode des différences finies sur le temps et sur l'espace et la méthode des lignes. Plusieurs phénomènes physiques sont pris en compte dont les mécanismes de Frank/Turnbull et du kick-out auxquels s'ajoutent les effets des charges électriques, du champ électrique et de l'effet du niveau de Fermi. Dans une dernière partie sont présentées les simulations des profils de diffusion du béryllium dans l'InGaAs. L'ensemble des résultats obtenus est discuté et comparé avec les données précédemment publiées.