Abstract FR:

Ce memoire decrit l'etude de la croissance par epitaxie en phase vapeur d'organometalliques (epvom) a pression atmospherique de cellules tandem sur substrat d'inp. La principale application envisagee est le tandem monolithique de cellules en inp (e#g=1. 35ev) et ga#0#. #4#7in#0#. #5#3as (e#g=0. 75ev), mises en serie par une diode a effet tunnel en ga#0#. #4#7in#0#. #5#3as. L'etude est focalisee sur la problematique de la croissance d'une telle structure par epvom, avec en particulier une analyse approfondie du dopage de ga#0#. #4#7in#0#. #5#3as par les elements c, zn, te et si. L'inter-diffusion des dopants aux interfaces p-n fortement dopees est analysee par spectroscopie de masse d'ions secondaires dans le but d'optimiser les conditions de croissance de la diode a effet tunnel employee dans le tandem monolithique. Par ailleurs, d'autres problemes technologiques et generaux sont abordes, notamment la possibilite de prendre le contact sur la face avant d'une cellule en inp avec une couche ohmique transparente d'oxyde d'indium dope etain deposee par ablation laser. Ayant reussi a elaborer les elements du tandem separement (chacune des caracteristiques est decrite) l'epitaxie de la diode a effet tunnel et sa degradation, entrainee par la croissance de la cellule superieure, est identifiee comme un probleme clef pour la reussite de la structure tandem