Abstract FR:

Les diodes electroluminescentes au gaalas sont des dispositifs destines au marche de l'affichage lumineux et de la signalisation. Sur un substrat d'arseniure de gallium (gaas), on realise une hererojonction p-n par epitaxie liquide; la fraction d'aluminium dans le ternaire est ajustee afin d'obtenir une emission dans le rouge du spectre (x=0. 4, 650 nm); cependant, cette concentration d'aluminium est aussi responsable de la fragilite de la structure. Nous avons tout d'abord etudie les contraintes mecaniques generees durant la phase d'epitaxie. Le calcul energetique est base sur deux configurations possibles: une deformation elastique ou plastique. Le modele met en evidence l'existence d'un seuil d'apparition de dislocations de rattrapage mais l'etude experimentale montre que l'epitaxie des diodes suit plutot une croissance metastable ou les dislocations de rattrapage sont inexistantes. Nous nous sommes alors tournes vers l'etude des parametres de fabrication qui sont finalement responsables de la plupart des sources de dislocations presentes dans le materiau. En effet, une etude en microscopie electronique permet de localiser ces sources. La diminution de la puissance lumineuse des diodes est due a la propagation de ces dislocations sources sous l'effet du courant et d'importantes contraintes mecaniques