Abstract FR:

Ces materiaux quaternaires algainas et les ternaires limites gainas et alinas sont elabores par epitaxie par jets moleculaires sur substrat de phosphure d'indium. Les diffusions sont realisees en utilisant la technique de la boite semi-fermee et elles sont caracterisees par profilometre electrochimique (polaron) et par sonde ionique (sims). On etudie experimentalement le mecanisme de diffusion du zinc dans gainas et on determine un mecanisme intersticiel-substitutionnel. Ensuite on expose l'utilisation de la diffusion dans le procede de fabrication des transistors bipolaires a heterojonction