Abstract FR:

Ce travail est une contribution a la conception d'oscillateurs accordables a faible bruit de phase, utilisant la technologie monolithique a base de transistors phemt en bande millimetrique. Les systemes de communications actuels exigent la conception d'oscillateurs agiles en frequences et de grande purete spectrale. Ces specifications conduisent a l'adoption de methodologies de conceptions appropriees mettant en uvre les potentialites des simulateurs commerciaux. Ce memoire presente la conception d'un oscillateur controle en tension avec buffer en bande ka (autour de 30ghz). Son bruit de conversion am-fm est optimise par le critere d'orthogonalite. La conception d'un second vco sans buffer en bande k (autour de 24ghz) est basee sur l'optimisation du comportement dynamique du transistor ; l'objectif etant de reduire le bruit de phase genere par les non-linearites. La caracterisation des circuits concus et realises est effectuee. La comparaison entre les resultats obtenus par simulation et les resultats experimentaux montre un accord satisfaisant. La deuxieme partie de ce travail porte sur la modelisation du bruit basses frequences des transistors phemt ainsi que sur l'analyse du bruit de phase des vco. La caracterisation du bruit basses frequences nous a permis d'identifier les differentes composantes du bruit en exces. Un modele de bruit pour la cao des transistors phemt en fonction du courant de drain est propose. Ceci nous a permis de simuler le bruit de phase des vco. L'analyse des resultats de simulation, nous a conduit a constater l'influence du varactor sur le bruit de phase du fait de son coefficient de qualite et de ses non-linearites. Des interpretations expliquant les ecarts entre simulations-mesures sont donnees. Les niveaux du bruit de phase mesures correspondent aux meilleurs resultats releves dans la litterature a ce jour.