Abstract FR:

Nous avons utilise la technologie du silicium poreux pour realiser des caissons d'isolement destines aux composants de puissance. Cette realisation a necessite le franchissement de trois etapes. La premiere est la formation de couches poreuses profondes obtenues par anodisation electrochimique du silicium en milieu acide fluorhydrique. Le procede que nous proposons a donne de tres bons resultats: homogeneite de la repartition des pores a la surface et dans l'epaisseur du substrat. On anodise une tranche de silicium n-, dans pratiquement toute son epaisseur (350m) en une quarantaine de minutes. La deuxieme etape est la localisation des zones poreuses. Nous avons montre les possibilites de masquage qu'offre le polysilicium, qu'il soit isole du substrat par une couche d'oxyde ou non. D'autre part, nous avons determine la structure du masque qui convient le mieux. Il est compose d'une couche de polysilicium deposee sur une epaisseur d'oxyde. Ce dernier doit etre totalement encapsule par le silicium polycristallin afin d'etre protege de la dissolution par l'acide. Enfin, c'est la diffusion qui a finalement ete realisee dans les zones poreuses localisees. Le procede que nous avons utilise permet d'obtenir des profondeurs de jonction variables. Il suffit d'ajuster la duree de la redistribution en fonction de la profondeur desiree. On diffuse ainsi des impuretes dopantes dans toute l'epaisseur d'une tranche en un temps relativement court