Abstract FR:

L'integration d'une structure de transistor pnp vertical, isolee, optionnelle, dans un procede de realisation de circuits integres bipolaires haute frequence, preexistant fait l'objet de cette etude. Ce composant pnp necessite la mise en place d'etapes technologiques specifiques. C'est grace a la methode des plans d'experiences que ces phases additionnelles sont optimisees afin d'obtenir les performances electriques, specifiees a priori. Il en resulte une technologie nouvelle, a structures npn et pnp optimisees, devant conduire a la conception de circuits integres plus performants que ceux fabriques actuellement