Abstract FR:

Un logiciel particulaire monte carlo 3d simulant d'une part l'implantation ionique et d'autre part les cascades de collisions a ete developpe: le premier ne s'occupe que des ions implantes, le second concerne les ions et les defauts crees par l'implantation. Les deux modeles sont valables pour une cible amorphe, constituee d'un seul ou de plusieurs types d'atomes, d'une seule couche ou d'une structure multicouche. La comparaison des profils d'implantation simules et des profils d'ions obtenus par les mesures sims nous a permis de valider le modele de l'implantation ionique et de determiner la valeur du parametre ajustable (facteur de correction des pertes electroniques dans le modele lss, fonction uniquement du couple ion-cible) pour differentes combinaisons rencontrees dans la technologie silicium: (b, as, sb)-(si, sio#2, si#3n#4). L'implantation ionique etant la technique principale de dopage des mosfet submicroniques, nous avons applique ce logiciel a la simulation de toutes les implantations necessaires a la fabrication d'un mosfet autoaligne 0,10,5 m#2. Compte tenu de la repartition spatiale des impuretes (donneurs, accepteurs) issue de cette simulation, nous avons etudie le comportement electrique du dispositif considere a l'aide d'un logiciel de simulation de dispositifs (modele particulaire bidimensionnel de type monte carlo). Les resultats obtenus montrent le caractere non stationnaire du transport des electrons dans le canal et une transconductance semblable a celle mesuree